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長鑫科技沖刺上市:科創(chuàng)板第二大IPO,4年虧近400億,終打破韓美“三巨頭”壟斷

發(fā)布時間:2026-01-06 16:52:24

歷經(jīng)八年虧損長跑、以一己之力打破海外巨頭壟斷的“孤勇者”——長鑫科技,正迎來其發(fā)展史上的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折。

近日,國內(nèi)DRAM龍頭企業(yè)長鑫科技正式遞交招股書,擬募資高達295億元,成為科創(chuàng)板史上募資規(guī)模第二大的IPO,僅次于募資532.3億元的中芯國際。

將時針撥回2016年,國內(nèi)DRAM存儲芯片領(lǐng)域幾乎是空白,擁有清華背景和芯片創(chuàng)業(yè)經(jīng)驗的朱一明看到了機遇。恰好,合肥正大力建設(shè)“IC之都”,為企業(yè)提供大量的資金與政策支持,于是長鑫科技在合肥誕生。

在DRAM市場,三星、SK海力士與美光構(gòu)筑起一道幾乎不可逾越的鐵幕,長期掌握全球超過90%市場。而中國雖是全球最大的芯片消費市場,卻受制于人、面臨“卡脖子”風(fēng)險。

長鑫科技通過多年的巨額研發(fā)投入,才一步步實現(xiàn)中國首顆DRAM芯片的量產(chǎn),在夾縫中與三大巨頭“貼身肉搏”。

2019年,長鑫存儲宣布正式量產(chǎn)首顆19納米工藝的DDR4內(nèi)存芯片,達到與國際主流DRAM產(chǎn)品同步,實現(xiàn)了中國大陸DRAM產(chǎn)業(yè)“從零到一”的突破。

按出貨量統(tǒng)計,長鑫已成為中國第一、全球第四的DRAM廠商。虧損約8年后,長鑫終于預(yù)計在2025年首次實現(xiàn)扭虧為盈,凈利潤預(yù)計為20億元至35億元。

不過,長鑫科技也坦言,其距離DRAM行業(yè)前三家國際頭部廠商仍有一定差距。Omdia數(shù)據(jù)顯示,2025年第二季度,長鑫科技的全球市場份額為3.97%,與韓美“三巨頭”之間仍橫亙著一條需要奮力追趕的鴻溝。

如何實現(xiàn)從零到一的突破?

如同海思在手機處理器曾經(jīng)進行的“無人區(qū)”探索,長鑫在DRAM領(lǐng)域取得的成就也幾乎是從零開始的。

朱一明,長鑫存儲創(chuàng)始人,出生于1972年,清華大學(xué)物理系本科及碩士,美國紐約州立大學(xué)石溪分校電子工程碩士。畢業(yè)后,朱一明便在美國硅谷投身于科技行業(yè)。然而,硅谷的高薪工作并不是他的最終目標(biāo)。

2004年起,朱一明便開始嘗試在存儲器領(lǐng)域進行創(chuàng)業(yè)。在美國硅谷一家星巴克咖啡廳里,他向清華企業(yè)家協(xié)會TEEC發(fā)起人李軍闡述創(chuàng)業(yè)計劃時提到,“中國大陸在存儲器領(lǐng)域發(fā)揮重要作用的時刻已經(jīng)到來,我們要做中國最大存儲器的設(shè)計和制造者。”

2005年,帶著清華校友和其他投資人92萬美元,朱一明從硅谷離職回到北京,成立了芯技佳易(兆易創(chuàng)新前身),開啟存儲器芯片的生產(chǎn)研發(fā)。

根據(jù)斷電后存儲的信息是否保留,存儲芯片可以分為易失性存儲芯片與非易失性存儲芯片,其中易失性存儲芯片的代表性產(chǎn)品有DRAM和SRAM,非易失性存儲芯片則是以NAND Flash和NOR Flash為主流。

芯技佳易業(yè)務(wù)主要聚焦于Nor Flash產(chǎn)品,而Nor Flash僅是存儲芯片市場一小部分。數(shù)據(jù)顯示,2016年存儲芯片整個市場中,DRAM產(chǎn)品占比約53%,Nor Flash占比僅有3%左右。

2016年,朱一明希望布局市場空間更大的DRAM產(chǎn)品,合肥市又提出了要大力建設(shè)“IC之都” ,希望培育本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)、實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級。雙方一拍即合,合肥市政府出資四分之三、兆易創(chuàng)新出資四分之一,共同出資約180億元成立長鑫存儲,目標(biāo)是實現(xiàn)19納米12英寸晶圓存儲器的研發(fā)與量產(chǎn)。

從2017年3月開工到2018年5月生產(chǎn)設(shè)備進場,長鑫存儲耗時一年完成了12英寸DRAM存儲器晶圓廠的建設(shè)。

2019年,長鑫科技宣布正式量產(chǎn)首顆19nm工藝的DDR4內(nèi)存芯片,對標(biāo)國際主流DRAM產(chǎn)品,成為全球第四家DRAM產(chǎn)品采用20nm以下工藝的廠商。這也標(biāo)志著中國在DRAM存儲芯片領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)關(guān)鍵突破。

2020年,搭載長鑫DDR4顆粒的內(nèi)存條正式上市,標(biāo)志著中國首款自主研發(fā)的DRAM芯片投入市場,還意味著中國在全球DRAM市場的正式起步。

為何長鑫能在較短的時間內(nèi)實現(xiàn)技術(shù)突破?

朱一明曾在演講時透露,長鑫的DRAM內(nèi)存技術(shù),主要是基于已破產(chǎn)的德國芯片公司奇夢達。長鑫獲得了奇夢達一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2.8TB數(shù)據(jù),并在此基礎(chǔ)上改進、研發(fā)自主產(chǎn)權(quán)的內(nèi)存芯片,耗資超過25億美元。

四年虧近400億,2025預(yù)計實現(xiàn)盈利

如此具有標(biāo)志性突破的背后,是長鑫科技多年不計成本的投入,與阿里、小米等巨頭以及地方政府的資本扶持。

招股書數(shù)據(jù)顯示,長鑫科技大概四年虧了近400億元。2022年至2024年,長鑫科技歸母凈虧損約83.28億元、163.40億元、71.45億元。

2025年前三季度,公司歸母凈虧損52.80億元。從2022年至今年前三季度,長鑫科技累計歸母凈虧損370.93億元。

不過,隨著2025年下半年以來DRAM價格顯著上漲,以及產(chǎn)能規(guī)模爬升等方面的影響,長鑫科技預(yù)計2025年營收為550億元至580億元,凈利潤預(yù)計為20億元至35億元。

這也意味著,在經(jīng)歷8年虧損長跑之后,長鑫科技2025年將首次實現(xiàn)扭虧為盈,其中四季度能實現(xiàn)約80億元的盈利。

在虧損逐步收窄的過程中,長鑫科技的收入也在不斷攀升。2022年至2024年收入復(fù)合增長率為70.81%,營收分別約為82.87億元、90.87億元和241.78億元。2025年前三季度,長鑫實現(xiàn)營收320.84億元,同比增長97.79%。

長鑫科技能堅持在虧損的情況下不斷進行研發(fā)投入,離不開眾多資本的長期支持與堅定押注。

招股書披露,長鑫科技無控股股東、實控人,直接持有公司5%以上股份的股東為清輝集電、長鑫集成、大基金二期、合肥集鑫及安徽省投,分別持股21.67%、11.71%、8.73%、8.37%、7.91%。

此外,阿里云計算、兆易創(chuàng)新、阿里網(wǎng)絡(luò)、美的投資、湖北小米持股比例分別為3.85%、1.80%、1.12%、0.75%、0.21%。

申報IPO前,2025年6月,三名投資者向長鑫科技增資63.7億元,其中阿里云計算出資61億元取得長鑫科技3.85%股權(quán)。以此估算,長鑫科技在此輪融資中的估值約為1584億元。

近期,摩爾線程、沐曦股份等國產(chǎn)AI芯片公司也輪番上市,并受到了資本市場熱捧。以摩爾線程為例,這家公司在2024年末完成Pre-IPO融資,投后估值約300億元,IPO發(fā)行市值達535億元。截止發(fā)稿,摩爾線程最新市值為2912億元。

存儲行業(yè)進入強周期,長鑫借勢起飛

長鑫科技在今年的業(yè)績增長,與存儲行業(yè)的強周期性有著緊密的聯(lián)系。

一般來說,存儲市場的價格波動的周期性非常鮮明,一般都是在價格上漲和價格暴跌的循環(huán)中周而復(fù)始,芯片價格波動幅度遠超其他行業(yè)。

當(dāng)下,存儲芯片市場進入上行周期,存儲芯片價格飆升,不少行業(yè)人士形容為“超級周期”。

根據(jù)DIGITIMES Research的統(tǒng)計,2024年底至2025年12月期間,DDR5 16Gb現(xiàn)貨價格上漲超過500%,從4.6美元漲至28美元。DDR4 16Gb內(nèi)存模塊價格上漲1800%,從約3.2美元漲至62美元以上。

本輪存儲芯片價格的劇烈上漲,主要由多個因素共同驅(qū)動,包括DDR4逐步退市、AI服務(wù)器需求激增、以及巨頭研發(fā)重心的轉(zhuǎn)移等。

一方面,AI服務(wù)器端的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長態(tài)勢。這一顯著變化使得HBM和SSD的需求大幅增加,這兩類產(chǎn)品的熱度急劇上升。

另一方面,三星、SK海力士先前明確將停產(chǎn)DDR4,將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向DDR5、LPDDR5和HBM,美光宣布削減DDR4出貨直至停產(chǎn),這就導(dǎo)致傳統(tǒng)DRAM供給大幅收縮。

在招股書中,長鑫科技表示,DRAM產(chǎn)品銷售單價波動較大,行業(yè)周期的影響較大,產(chǎn)品單價的下滑會使公司收入增速受到較大影響。比如2023年,長鑫DRAM產(chǎn)品銷售單價的同比下滑43.54%,對利潤造成沖擊。

根據(jù)摩根士丹利近期報告,2026年DRAM產(chǎn)品價格預(yù)期同比漲幅30%。這意味著,今年長鑫科技業(yè)績也會呈現(xiàn)上漲趨勢。但長鑫科技也提醒稱,如果未來DRAM行業(yè)下游市場需求疲軟,長鑫的產(chǎn)品銷售價格和經(jīng)營業(yè)績將面臨不利影響。

目前,長鑫科技客戶包括阿里云、字節(jié)跳動、騰訊、小米等巨頭,移動設(shè)備領(lǐng)域收入為主要支柱。在核心產(chǎn)品及工藝技術(shù)的進展上,長鑫科技也在近期取得了重要的突破。

上個月,長鑫存儲在中國國際半導(dǎo)體博覽會上正式發(fā)布最新的DDR5產(chǎn)品系列,該系列產(chǎn)品最高速率達8000Mbps,最高顆粒容量24Gb。

有業(yè)內(nèi)人士評價指出,長鑫存儲DDR5 最大速度8000Mbps,比上一代產(chǎn)品提升25%,在技術(shù)路線上至少已追上韓國DRAM公司。

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